晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据档位不同）
　　噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

FFMAF207P晶体管具备多项高性能特性，适用于高频放大和低噪声应用场景。其主要特性包括：
　　? 高频性能：该晶体管的过渡频率（fT）高达250 MHz，使其在射频和中频放大器中表现出色，能够处理高频信号并保持良好的线性度。
　　? 低噪声系数：噪声系数（NF）仅为0.5 dB（典型值），这使得FFMAF207P非常适合用于前端低噪声放大器（LNA）设计，有助于提高整个系统的信噪比。
　　? 宽电压范围：最大集电极-发射极电压（Vce）为30 V，允许其在多种电源配置下稳定工作，适用于不同电压等级的电路设计。
　　? 高电流增益：电流增益（hFE）范围为100至800，具体取决于器件的分档等级。这种高增益特性使得FFMAF207P能够在小信号放大电路中提供良好的信号增强能力。
　　? 小型化封装：采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　? 工作温度范围广：可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。

FFMAF207P晶体管由于其高频、低噪声和高增益特性，广泛应用于以下领域：
　　? 射频（RF）放大器：适用于无线通信系统中的射频信号放大，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点和广播设备等。
　　? 中频（IF）放大器：在接收机前端中用于中频信号的放大，以提高信号质量和系统灵敏度。
　　? 低噪声放大器（LNA）：作为信号链的第一级放大器，用于提高接收系统的信噪比，适用于卫星通信、雷达和测试仪器。
　　? 模拟信号处理电路：如混频器、调制解调器和其他模拟前端电路中的信号增强和处理。
　　? 测试与测量设备：用于高频信号源、频谱分析仪和网络分析仪等精密仪器中的信号放大和处理电路。
　　? 工业控制系统：用于工业自动化设备中的高频信号检测和处理。

2N3904, BC547, BFQ59, FFMAF207