产品系列：MLF
　　电感值：0.56 μH
　　电感公差：±10%
　　直流电阻（DCR）：典型值39.8 mΩ
　　额定电流（Isat）：4.3 A（电感下降30%）
　　额定电流（Irms）：4.7 A（温升40°C）
　　最大直流电阻：46 mΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值1.1 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　封装尺寸：2.0 mm × 1.2 mm × 1.2 mm（2012英制）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　磁屏蔽类型：有屏蔽（Shielded）
　　核心材料：铁氧体（Ferrite）
　　绕线技术：铜线绕制

MLF2012DR56KT具备卓越的电流处理能力与低直流电阻的平衡特性，使其在高效率电源转换应用中表现出色。其直流电阻（DCR）仅为约39.8mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体电源系统的能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。该电感器的饱和电流（Isat）为4.3A，在电感值下降30%的条件下仍能稳定工作，意味着即使在瞬态大电流冲击下也能保持良好的电感性能，避免因磁芯饱和导致的电路失效。同时，其温升电流（Irms）高达4.7A，表明在持续负载下温升控制良好，能够在高功率密度设计中可靠运行。
　　该器件采用屏蔽式铁氧体磁芯结构，有效抑制了外部磁场泄漏，减少了对邻近元件的电磁干扰（EMI），提升了系统EMC性能。这对于高集成度的现代电子设备尤为重要，尤其是在射频模块、处理器供电轨等对噪声敏感的区域。此外，其紧凑的2012封装尺寸（2.0mm x 1.2mm x 1.2mm）非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和超薄笔记本电脑主板。尽管体积小，但其机械强度高，抗振动和冲击能力强，适合在恶劣环境中使用。
　　MLF2012DR56KT具有宽广的工作温度范围（-55°C至+155°C），可在极端高低温条件下稳定工作，满足工业控制、汽车电子等领域的需求。其材料和制造工艺符合AEC-Q200汽车级可靠性标准，适用于车载DC-DC变换器、LED驱动电源等应用。器件还具备优异的耐焊接热性能，能够承受多次回流焊过程而不影响电气性能，适应复杂的多层板组装工艺。此外，其端子采用镍/锡镀层，增强了可焊性和抗氧化能力，确保长期使用的连接可靠性。整体而言，这款电感结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代高效开关电源设计的理想选择之一。

MLF2012DR56KT广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率电感的电子系统中。它常用于便携式消费电子产品中的直流-直流转换器，例如智能手机、平板电脑和智能手表的电源管理单元（PMU），为处理器、内存和其他核心组件提供稳定的电压调节。在这些设备中，该电感作为降压变换器的关键储能元件，帮助实现高转换效率和低待机功耗，从而延长电池寿命。
　　在通信设备领域，该电感可用于基站模块、无线路由器和光模块的电源部分，支持高频开关操作下的稳定输出。其高达1.1GHz的自谐振频率（SRF）使其在MHz级别的开关频率下仍能保持优良的电感特性，避免因接近谐振点而导致性能下降。此外，在笔记本电脑和超极本的主板上，MLF2012DR56KT常被用于CPU/GPU供电的多相VRM（电压调节模块）设计中，承担能量存储和纹波抑制功能。
　　在汽车电子方面，该电感适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、LED车灯驱动电源等场景。得益于其符合AEC-Q200标准的可靠性和宽温工作能力，能够在发动机舱附近的高温或冬季低温环境下正常运行。工业控制设备如PLC、伺服驱动器和传感器模块也采用此类电感来构建紧凑型开关电源。此外，它还可用于分布式电源架构中的中间总线转换器（IBC）或负载点电源（POL），为FPGA、ASIC等高功耗芯片提供高效、低噪声的供电解决方案。

[
　　 "IHLP2012BZER56M01",
　　 "XAL2012-0R56",
　　 "SLF2012T-561MR56P0",
　　 "CDRH127HP-560FC",
　　 "LQM21PNR56MG0D"
　　]