您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206Y563JXABT31G

GA1206Y563JXABT31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:27:37 查看 阅读:8

GA1206Y563JXABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高速开关性能之间实现了良好的平衡。其主要用途包括DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等应用。此外,它具有优异的热性能和耐用性,适合在严苛的工作环境下使用。
  该芯片封装形式通常为表面贴装类型(如TO-252或类似的紧凑型封装),有助于节省PCB空间并提高散热效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

GA1206Y563JXABT31G具有超低的导通电阻(Rds(on)),这使得它能够在大电流条件下保持较低的功耗。同时,其优化的栅极电荷设计大幅提升了开关效率,从而减少了开关损耗。
  此器件还具备出色的雪崩能力和短路耐受能力,增强了系统的可靠性和稳定性。另外,它的紧凑型封装不仅便于安装,还能有效改善热管理,确保长期稳定运行。
  为了满足不同应用场景的需求,该芯片经过了严格的测试流程,确保符合国际质量标准及规范要求。

应用

该芯片广泛应用于消费电子领域中的各种高效能产品,例如笔记本电脑适配器、平板充电器、LED驱动器以及家用电器的电源管理系统。
  工业应用方面,GA1206Y563JXABT31G适用于工业自动化设备中的直流无刷电机驱动、逆变器模块和不间断电源(UPS)系统。
  此外,在汽车电子领域,它可用于车载充电器、电动车窗控制单元以及照明控制系统等。

替代型号

IRF3205
  FDP15N60
  AON6710

GA1206Y563JXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-