MA0201XR331M500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源管理场景,如 DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等。此外,其封装形式紧凑,有助于节省电路板空间。
型号:MA0201XR331M500
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压:30V
连续漏极电流:20A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:25nC
最大功耗:40W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
MA0201XR331M500 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能,能够支持高频操作,适合现代高效电源转换需求。
3. 高电流承载能力,确保在高负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下依然能保持可靠的工作状态。
5. 小型化封装设计,便于在有限空间内实现复杂电路布局。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器及工业电源。
2. DC-DC 转换器,用于电压调节和能量传输。
3. 电机驱动器,控制小型直流或步进电机。
4. LED 驱动电路,提供精确的电流控制以优化照明效果。
5. 电池管理系统(BMS),保护电池组免受过充或过放损害。
6. 各种需要高效功率切换的电子设备中。
IRF3205
FDP5500
AON7801