时间：2025/7/30 17:58:59
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SDS120J040G3-ISATH 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率 MOSFET 晶体管。这款MOSFET属于ST的PowerFLAT?系列，设计用于高电流和高效率应用。其型号中的各个字母和数字代表了不同的特性，例如电压、电流能力、封装类型以及温度范围等。SDS120J040G3-ISATH 采用先进的沟槽栅技术，以提供更低的导通电阻和更高的开关性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
连续漏极电流(Id)：120A（Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：4.0mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
功率耗散(Pd)：100W
SDS120J040G3-ISATH 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流条件下能够保持较低的功耗和温升。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构，以优化开关性能和降低Rds(on)。其PowerFLAT封装形式不仅提供了良好的热管理，还允许表面贴装技术（SMT）的使用，便于自动化生产。
该器件的工作温度范围非常宽泛，从-55°C到175°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。此外，SDS120J040G3-ISATH具有出色的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
该MOSFET还具备低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。由于其高电流承载能力和优异的热性能，该器件适用于各种高功率密度应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器等。
SDS120J040G3-ISATH 主要用于高功率密度和高效率要求的应用，例如：
- DC-DC 转换器
- 电机驱动器和H桥电路
- 电源管理模块
- 电池供电系统
- 负载开关和电源分配系统
- 服务器和电信设备电源
由于其出色的导通性能和热管理能力，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率转换系统。
STL120N4LF7AG | IPW60R045C7
