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MLF2012A1R2KTB28 发布时间 时间:2025/12/5 17:39:35 查看 阅读:21

MLF2012A1R2KTB28是一款由Vishay Dale生产的表面贴装功率电感器,属于其MLF(Micro-Flat)系列。该系列产品专为高电流、低直流电阻和紧凑尺寸的应用而设计,适用于现代电子设备中对空间和效率要求较高的场合。MLF2012A1R2KTB28采用先进的磁屏蔽结构,有效减少电磁干扰(EMI),同时具备良好的热稳定性和机械强度。其小型化封装符合2012(0805公制)尺寸标准,便于在高密度PCB布局中使用。该电感器广泛应用于便携式消费类电子产品、移动通信设备、电源管理模块以及各类DC-DC转换器电路中。得益于其铁氧体磁芯与铜合金导体的结合,MLF2012A1R2KTB28能够在高频工作条件下保持较低的能量损耗,并提供稳定的电感性能。此外,该器件具有优异的抗老化特性和长期可靠性,适合在严苛环境条件下运行。产品符合RoHS指令要求,并支持无铅焊接工艺,满足现代绿色电子制造的需求。

参数

产品系列:MLF
  尺寸代码:2012(0805公制)
  电感值:1.2 μH
  允许偏差:±10%
  额定电流(Ir):1.7 A
  饱和电流(Isat):2.8 A
  直流电阻(DCR)典型值:65 mΩ
  屏蔽类型:磁屏蔽
  工作温度范围:-55 °C 至 +155 °C
  最大工作温度:+155 °C
  热阻:约 60 K/W
  安装方式:表面贴装(SMD)
  端子材料:铜合金镀锡
  核心材料:铁氧体复合磁芯
  频率测试条件:1 MHz, 0.1 Vrms
  感应电压常数:NA
  耐焊接热:符合J-STD-020标准

特性

MLF2012A1R2KTB28具有出色的功率处理能力与小型化设计的完美结合,适用于高效率电源转换系统。其核心采用高性能铁氧体材料,在高频开关环境下仍能维持较高的磁导率和较低的磁芯损耗,从而提升整体电源效率。该电感器的磁屏蔽结构显著降低了外部磁场辐射,减少了对邻近元件的电磁干扰,使其特别适用于对EMI敏感的应用场景,如智能手机、可穿戴设备和无线模块等。其低直流电阻(仅65 mΩ典型值)有助于减少铜损,提高负载效率,并降低温升,确保长时间稳定运行。
  该器件的饱和电流高达2.8 A,额定电流为1.7 A,意味着它可以在较大输出电流的降压或升压型DC-DC转换器中可靠工作,而不会因磁芯饱和导致性能下降或电路失效。其快速响应电流变化的能力也增强了瞬态负载调节性能。此外,MLF2012A1R2KTB28具备优异的热稳定性,可在-55°C至+155°C的宽温度范围内保持电气特性稳定,适应从极寒到高温的各种应用环境。结构上采用一体化成型工艺,增强了机械坚固性,能够承受多次热循环和振动冲击,适用于汽车电子、工业控制等领域。
  由于其2012小型封装,该电感器非常适合用于空间受限的设计中,例如TWS耳机、智能手表和其他微型化电子产品。同时,端子采用铜合金并进行镀锡处理,保证了良好的可焊性和长期连接可靠性,兼容回流焊和波峰焊工艺。产品符合AEC-Q200标准的部分应力测试要求,体现了其在质量与可靠性方面的高标准。总体而言,MLF2012A1R2KTB28是一款兼顾高性能、小体积与高可靠性的功率电感器,是现代高效电源设计中的理想选择。

应用

便携式消费类电子产品中的DC-DC转换器
  手机和平板电脑的电源管理系统
  可穿戴设备如智能手表和健康监测仪
  无线通信模块的滤波与储能电路
  笔记本电脑和超极本的电压调节模块(VRM)
  LED驱动电源中的升压或降压拓扑
  汽车信息娱乐系统的低压电源轨
  工业传感器和小型PLC的板载电源
  电池供电设备中的能量存储与平滑滤波
  高速数字处理器的旁路与去耦网络

替代型号

[
   "MLF2012A1R2KT",
   "SLF10145T-1R2MR39",
   "CDRH3D18-1R2NC",
   "XAL6060-1R2M",
   "NR2012H-1R2M"
  ]

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