时间：2025/9/1 21:22:52
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HY27UH08AG5M是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，属于8GB容量级别的存储器件。该芯片采用56nm工艺制造，支持多层单元（MLC）技术，提供较高的存储密度和可靠性。HY27UH08AG5M通常用于需要大容量非易失性存储的应用场合，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、USB存储设备、工业控制设备以及消费类电子产品。
容量：8GB
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：ONFI 1.0兼容
数据读取速度：最高50MB/s
数据写入速度：最高20MB/s
擦除时间：块擦除时间典型值为2ms
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP 48引脚
HY27UH08AG5M采用MLC（多层单元）NAND闪存技术，每个存储单元可存储2位数据，从而在不增加芯片面积的前提下提升存储容量。该技术相比SLC（单层单元）虽然在寿命和写入速度上略有下降，但成本更低，适用于对成本敏感的大容量存储应用。
该芯片内置ECC（错误校正码）机制，支持控制器进行数据校正，从而提升数据存储的可靠性。同时，HY27UH08AG5M支持坏块管理，出厂时已标记部分坏块，用户在使用过程中也需进行动态坏块管理以确保数据完整性。
该芯片采用ONFI 1.0标准接口，兼容广泛的NAND控制器，便于系统集成。其支持页编程（Page Program）和块擦除（Block Erase）操作，适合多种存储管理算法的实现，如磨损均衡（Wear Leveling）和垃圾回收（Garbage Collection）。
此外，HY27UH08AG5M具有较宽的工作电压范围（2.7V至3.6V），适应多种电源设计环境，并具备良好的抗干扰能力，适用于工业级和消费级应用场景。
HY27UH08AG5M广泛应用于需要中高容量非易失性存储的设备中。例如，在嵌入式系统中，该芯片常用于存储固件、操作系统镜像和用户数据。在消费类电子产品中，如数码相机、MP3播放器、便携式导航设备（PND）等，HY27UH08AG5M可用于存储多媒体文件和应用程序。
由于其较高的容量和相对较低的成本，HY27UH08AG5M也被用于工业控制设备、数据采集系统和智能家电中，作为数据存储和程序运行的载体。在一些入门级的固态硬盘（SSD）模块中，也会使用该型号或其衍生型号作为存储介质，搭配适当的控制器实现低成本的存储解决方案。
此外，HY27UH08AG5M的TSOP封装形式便于焊接和集成，适合大批量生产应用。其支持ONFI标准接口，使得与主控芯片的连接更加简便，适用于多种嵌入式平台的开发。
K9F5608U0C, TC58NVG2S0FTG00, NAND8GW3A2BN6E
