型号：ML06MT1R0
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20 V
　　最大栅源电压(VGS)：±8 V
　　连续漏极电流(ID)：1.9 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：6.5 A
　　导通电阻(RDS(on))：67 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　导通电阻(RDS(on))：100 mΩ @ VGS = 2.5 V
　　阈值电压(VGS(th))：0.65 V ~ 1.0 V
　　输入电容(Ciss)：330 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容(Coss)：140 pF @ VDS = 10 V
　　反向传输电容(Crss)：45 pF @ VDS = 10 V
　　栅极电荷(Qg)：4.5 nC @ VGS = 4.5 V
　　功耗(PD)：1 W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(TSTG)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

ML06MT1R0 MOSFET采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺通过优化沟道结构显著降低了导通电阻，从而提高了整体能效。其低RDS(on)特性使其能够在高频率开关操作中减少功率损耗，这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池寿命并降低发热。该器件的栅极电荷Qg非常低，仅为4.5nC（在VGS=4.5V时），这意味着它可以在高速开关应用中实现更快的开启和关闭速度，减少开关过渡期间的能量损失。此外，输入电容Ciss为330pF，输出电容Coss为140pF，这些较低的电容值进一步增强了其高频响应能力，使得ML06MT1R0非常适合用于开关模式电源（SMPS）、同步整流和高频DC-DC转换器等应用。
　　该MOSFET的阈值电压VGS(th)典型值约为0.8V，范围在0.65V至1.0V之间，这使得它可以与逻辑电平信号直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度并降低了系统成本。其最大漏源电压为20V，适用于低电压电源轨控制，例如3.3V或5V系统中的负载开关或电源路径管理。SOT-23封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型PCB布局中，而且具有良好的散热性能，能够在1W的最大功耗下稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境条件下的可靠性，适用于工业级和消费类电子产品。
　　ML06MT1R0还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，能够承受一定的过压瞬态冲击，提升了系统的鲁棒性。其反向传输电容Crss仅为45pF，有助于减少米勒效应引起的寄生导通风险，提高开关稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。总体而言，ML06MT1R0是一款高性能、小尺寸、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适合用于便携式设备、智能手机外设、USB电源开关、LED驱动电路以及各类低功耗嵌入式系统中的电源管理模块。

ML06MT1R0广泛应用于各类低电压、小电流的电源开关和功率控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理；在电池管理系统中用于防止反向电流或实现充放电控制；作为同步整流器用于升压或降压型DC-DC转换器以提高转换效率；在USB供电接口中充当限流开关以保护下游电路；也可用于驱动小型直流电机、继电器或LED指示灯等负载。此外，由于其快速开关特性和低静态功耗，该器件也适用于待机电源电路、热插拔控制器以及需要频繁启停的节能型控制系统中。

SI2302ADS-T1-E3
　　AO3400A
　　FDMT66711