时间：2025/7/11 20:12:22
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SI6993DQ-T1-GE3 是一款由 Semtech 推出的高性能、低导通电阻 (Rds(on)) 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，专为高效能开关应用设计，能够显著降低功耗并提升系统效率。其出色的性能使其广泛适用于电源管理、电机驱动、负载切换以及电池保护等场景。
该芯片的工作电压范围较广，支持高频率开关操作，并具备极低的导通电阻和快速的开关速度，从而减少功率损耗。此外，它还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛环境下保持稳定的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：2.4mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：1580pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
3. 快速的开关速度和低栅极电荷，有助于提高系统效率。
4. 宽泛的工作电压范围，适应多种电源环境。
5. 优异的热性能表现，确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 封装坚固耐用，便于安装和散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和电池保护。
4. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。
6. 各类 DC/DC 转换器和降压/升压电路。
SI6994DN, SI6992DY, IRF7843
