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MKI75-06A7T 发布时间 时间:2025/8/6 5:06:34 查看 阅读:28

MKI75-06A7T 是一款由 IXYS 公司生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中。该模块结合了MOSFET的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降特性,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。

参数

集电极-发射极电压(Vce):600V
  集电极电流(Ic):75A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  短路耐受能力:典型值 10μs
  栅极驱动电压:±15V(推荐)
  热阻(Rth):0.28°C/W(典型值)

特性

MKI75-06A7T 的核心特性包括高电流承载能力和卓越的热稳定性。模块采用了先进的沟槽栅技术和场截止技术,使得导通损耗和开关损耗均显著降低。此外,该模块具备优异的短路耐受能力,能够在高电压和高电流条件下保持稳定运行。其封装设计优化了散热性能,提高了整体可靠性,适合在恶劣工作环境中使用。
  这款IGBT模块的另一个显著特点是其高绝缘性能,内部封装采用了高耐压绝缘材料,能够有效防止电气击穿。此外,模块的引脚设计符合国际标准,便于在各种电路设计中进行安装和替换。由于其出色的性能,MKI75-06A7T 被广泛应用于工业电机驱动、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等领域。

应用

MKI75-06A7T 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、感应加热设备、电焊机、风力发电变流器以及电动汽车充电装置。在这些应用中,该模块可以提供高效的能量转换和稳定的运行性能,满足各种复杂工况下的需求。此外,其优异的热管理能力也使其适用于长时间高负荷运行的设备。

替代型号

SKM75GB06T4、FF75R06KE3、MG75Q6E1S4

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MKI75-06A7T参数

  • 标准包装6
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.6V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)90A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1.3mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.2nF @ 25V
  • 功率 - 最大280W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E2
  • 供应商设备封装E2