时间：2025/6/21 11:10:19
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SI7848BDP-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高性能功率管理的应用场景。其小型化的封装形式使其非常适合于空间受限的设计。
型号：SI7848BDP-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：5.2mΩ
Id（连续漏极电流）：79A
Qg（栅极电荷）：10nC
Vgs(th)（阈值电压）：2.5V
封装：TO-263-3L (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7848BDP-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻：在额定条件下，其导通电阻仅为 5.2mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高效率开关性能：通过优化的 Qg 和 Rds(on)，能够实现快速且高效的开关操作。
3. 耐热增强型封装：其 DPAK 封装设计支持更高的功率密度和散热性能。
4. 宽工作电压范围：支持最高 60V 的漏源极电压，适用于多种电源应用。
5. 超低栅极电荷：10nC 的低栅极电荷使得开关损耗更低，并提升了高频下的表现。
6. 高可靠性：支持 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
SI7848BDP-T1-GE3 广泛应用于各种功率转换和电机驱动领域，具体应用包括：
1. DC-DC 转换器：用于降压、升压或反激式转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统：作为保护电路中的关键元件，防止过流或短路。
3. 电机驱动：用于驱动无刷直流电机（BLDC）或其他类型的电机控制。
4. 开关电源：适用于 AC-DC 或其他形式的高效开关电源解决方案。
5. 工业自动化设备：为工业级负载提供可靠的功率切换功能。
6. 汽车电子：符合汽车级标准，可用于车载电子系统的功率管理。
SI7852DP, IRFZ44N, FDP5800
