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MJD3055G 发布时间 时间:2023/11/10 17:49:44 查看 阅读:170

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A, 10A
电流 - 集电极截止(最大):50μA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 4A, 4V
功率 - 最大:1.75W
频率 - 转换:2MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装:管件
供应商设备封装:D-Pak
其它名称:MJD3055G-NDMJD3055GOS

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MJD3055G参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换2MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装管件
  • 其它名称MJD3055G-NDMJD3055GOS