SE05NRE14GA 时间：2025/5/22 16:25:42 阅读：10

SE05NRE14GA 是一款高性能的 CMOS 增强型 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各类电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。
　　其优化的结构和封装形式使其在高频工作条件下仍能保持较低的功耗，同时具有良好的热性能表现。

参数

型号：SE05NRE14GA
　　类型：MOSFET (N-Channel)
　　VDS（漏源极电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　ID（连续漏极电流）：38A
　　VGS(th)（阈值电压）：2.5V
　　f(max)（最大工作频率）：5MHz
　　封装形式：TO-220AC
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

SE05NRE14GA 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 4.5mΩ，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
　　2. 快速的开关速度和低栅极电荷 Qg，非常适合高频开关应用。
　　3. 高电流处理能力，额定连续漏极电流高达 38A。
　　4. 具备出色的热稳定性，在极端温度范围内表现出色。
　　5. 强大的抗雪崩能力和 ESD 防护功能，增强了器件的可靠性。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　7. 可靠的 TO-220AC 封装形式，易于安装且散热性能优越。

应用

SE05NRE14GA 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
　　4. 工业自动化设备中的电磁阀控制。
　　5. 汽车电子中的启动和保护电路。
　　6. LED 照明驱动电路。
　　7. 通信设备中的信号调节与电源管理。