MJD112是一种NPN型硅大功率晶体管,广泛应用于开关和线性放大电路中。该晶体管具有较高的电流增益、良好的热稳定性和可靠性,适用于各种需要高电流驱动能力的场景。
其封装形式通常为TO-220,这种封装形式能够有效散发热量,确保器件在高功率应用中的稳定性。MJD112的工作电压范围较广,能够适应多种电路设计需求。
集电极-发射极电压:80V
集电极电流:5A
功率耗散:62.5W
直流电流增益hFE:10-70
过渡频率:4MHz
结温范围:-55℃至150℃
MJD112具有以下主要特性:
1. 高电流承载能力,适合驱动大功率负载。
2. 较宽的电压范围,使其能适应多种工作环境。
3. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作。
4. 封装形式便于安装和散热,提高了整体系统的可靠性。
5. 典型的NPN结构使得它易于集成到各类电子电路中。
MJD112晶体管适用于以下应用场景:
1. 开关电源中的开关元件。
2. 电机驱动和继电器控制电路。
3. 线性放大器和音频功率放大器。
4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 负载驱动电路,如LED驱动和灯泡控制等。
2N3055,MJ2955