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MJD112 发布时间 时间:2025/6/5 22:16:39 查看 阅读:8

MJD112是一种NPN型硅大功率晶体管,广泛应用于开关和线性放大电路中。该晶体管具有较高的电流增益、良好的热稳定性和可靠性,适用于各种需要高电流驱动能力的场景。
  其封装形式通常为TO-220,这种封装形式能够有效散发热量,确保器件在高功率应用中的稳定性。MJD112的工作电压范围较广,能够适应多种电路设计需求。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:5A
  功率耗散:62.5W
  直流电流增益hFE:10-70
  过渡频率:4MHz
  结温范围:-55℃至150℃

特性

MJD112具有以下主要特性:
  1. 高电流承载能力,适合驱动大功率负载。
  2. 较宽的电压范围,使其能适应多种工作环境。
  3. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下长时间工作。
  4. 封装形式便于安装和散热,提高了整体系统的可靠性。
  5. 典型的NPN结构使得它易于集成到各类电子电路中。

应用

MJD112晶体管适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的开关元件。
  2. 电机驱动和继电器控制电路。
  3. 线性放大器和音频功率放大器。
  4. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 负载驱动电路,如LED驱动和灯泡控制等。

替代型号

2N3055,MJ2955

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MJD112参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Darlington
  • 配置Single
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO100 V
  • 最大直流电集电极电流2 A
  • 最大集电极截止电流20 uA
  • 功率耗散20 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252-3 (DPAK)
  • 封装Tube
  • 集电极连续电流2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min200, 500, 1000
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量75