时间：2025/6/30 10:37:17
阅读：8
GRT1555C1H150FA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺以实现低导通电阻和高效率。该器件专为要求高效能、低功耗的应用场景设计，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式和电气特性使其能够在高温环境下稳定工作，同时具备出色的热性能。
型号：GRT1555C1H150FA02D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：34A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ
总功耗Ptot：75W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GRT1555C1H150FA02D具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力（Id=34A），适用于大功率应用场景。
3. 支持快速开关操作，可显著减少开关损耗。
4. 良好的热性能，能够有效散热并维持长时间稳定运行。
5. 高耐压能力（Vds=60V），确保在复杂电路环境下的可靠性。
6. 宽泛的工作温度范围，支持极端条件下的使用需求。
7. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
GRT1555C1H150FA02D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器，用于提升电压转换效率。
3. 电机驱动电路，提供高效的电流控制。
4. 各类负载开关，如服务器、通信设备及工业自动化系统。
5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
6. 电动车及混合动力汽车的动力电子组件。
由于其卓越的性能表现，这款MOSFET非常适合对能耗敏感且需要高可靠性的应用场合。
GRT1555C1H150FA02E, GRT1555C1H150FA02F
