晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：2A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：60V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：60V
　　最大功耗（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为40-250（具体取决于等级）

MJD112-RTF/E 晶体管具备多种优异特性，适用于广泛的功率电子应用。首先，其高电流承载能力使其能够处理较大的负载电流，适用于驱动继电器、电机、LED灯等高功率设备。其次，该晶体管具有较高的耐压能力，集电极与发射极之间的最大电压可达60V，这使得其在高压电路中具有良好的可靠性。
　　此外，MJD112-RTF/E 采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的结温，提高器件的稳定性和寿命。该封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、电源转换等对环境要求较高的应用场景。
　　电流增益（hFE）范围为40至250，具体取决于晶体管的等级。这一特性使得用户可以根据具体应用需求选择合适的增益版本，以优化电路性能。此外，其高频特性（fT为100MHz）使得该晶体管能够用于中高频放大电路，如音频放大器的输出级或开关电源的控制电路。
　　总体而言，MJD112-RTF/E 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的功率晶体管，适合用于多种电子系统设计。

MJD112-RTF/E 广泛应用于多个领域，包括但不限于功率放大器、开关电路、电机驱动、LED照明控制、电源管理以及工业自动化设备。在音频放大器设计中，它常被用作输出级晶体管，提供高保真的音频输出。在开关电源中，该晶体管可用于控制负载的导通与关断，实现高效的能量转换。此外，它也常用于驱动继电器、直流电机和高功率LED模块，适用于自动化控制系统和嵌入式系统中的功率控制模块。

MJD31-RTF/E, MJD112T4-RTF/E, 2N6491, BD136