类型：NPN型双极型晶体管
　　封装类型：TO-247
　　集电极-发射极电压（Vceo）：1200V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：1200V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：16A
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：50-150（具体取决于测试条件）
　　频率响应：适用于低频应用

MJ200AV120 晶体管具有优异的电气特性和稳定性，适用于高电压和高电流的应用场景。其高耐压特性（Vceo为1200V）使其能够承受较大的电压波动，避免因电压突变导致的器件损坏。此外，该晶体管的集电极电流最大可达16A，支持较高的负载能力，适用于功率放大和开关控制电路。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件在高功率运行时的可靠性。MJ200AV120 具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长了器件的使用寿命。
　　该晶体管还具有较高的电流增益（hFE），通常在50到150之间，能够提供较好的信号放大能力。其低饱和压降（Vce_sat）特性有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。由于其低频响应特性，MJ200AV120 主要用于电源转换、电机控制、工业自动化设备以及电力电子系统等需要高稳定性和高可靠性的应用场合。

MJ200AV120 广泛应用于高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、工业控制系统以及功率放大器等。其高电压和大电流能力使其非常适合用于高压直流电机控制、变频器和工业自动化设备中的功率开关电路。此外，该晶体管也可用于高功率音频放大器和测试设备中，提供稳定的放大和开关性能。

MJ200AV120 的替代型号包括 MJ15003、MJ15024 和 MJ21194 等，这些晶体管在电气特性和封装形式上与 MJ200AV120 类似，可作为替代选择用于不同的功率应用中。