时间：2025/7/26 5:10:07
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APT60D20BG是一款由Microchip Technology生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高效率、高功率的电源转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了优异的导通特性和开关性能，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和工业自动化等场景。APT60D20BG封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为18mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
APT60D20BG的主要特性包括非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，同时具备较低的开关损耗，有助于提高系统的整体效率。此外，APT60D20BG还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击，增强系统的可靠性和稳定性。其栅极驱动要求较低，适用于广泛的驱动电路设计，同时具有良好的短路保护能力。
APT60D20BG广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：高性能DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理系统、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统。该器件的高效率和高可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品中的理想选择。
IRF1405, STP60NF20, FDP6030L
