时间：2025/8/11 18:56:22
阅读：35
HGTG20N120B3 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于高电压和高电流的开关场合。这款IGBT具有较高的导通性能和较低的开关损耗，适合用于电机控制、电源转换、逆变器以及工业自动化系统等应用。该器件采用了先进的沟道和场截止技术，以优化其性能并提高系统效率。
制造商：ON Semiconductor
器件类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCE）：1200 V
最大集电极电流（IC）：20 A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
导通压降（VCE_sat）：典型值 2.1 V
输入电容（Cies）：约 2100 pF
短路耐受能力：有
HGTG20N120B3 具有优异的导通性能和低开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其沟道设计和场截止技术有助于减少导通压降并提高器件的可靠性。此外，该器件具有较强的短路耐受能力，能够在恶劣条件下保持稳定运行。内置的快速恢复二极管可以减少反向恢复损耗，提高整体效率。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该IGBT还具备良好的热稳定性和抗过载能力，适用于各种工业和汽车电子应用。
HGTG20N120B3 主要用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子系统。典型应用包括变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动器和工业自动化设备。由于其优异的开关性能和可靠性，该器件也适用于对效率和稳定性要求较高的电源转换系统。
HGTG20N120B3D, HGTG20N120BND
