MJ10202 时间：2025/9/3 11:48:53 阅读：29

MJ10202 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高可靠性的电源管理与功率转换电路中。该器件采用 TO-263（D2PAK）封装，便于散热并适用于表面贴装工艺。MJ10202 的设计目标是提供低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，使其在同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用中表现出色。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　封装：TO-263（D2PAK）
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：8.0A（连续）
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.105Ω（在 VGS = 10V 时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值 28nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　最大功耗（PD）：2.0W（在 Tc=25°C）
　　热阻（RθJC）：典型值 25°C/W

特性

MJ10202 具备多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻 RDS(on) 显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率，这对于高电流应用尤为重要。其次，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了良好的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，MJ10202 支持高栅源电压（±20V），提高了驱动的灵活性，并增强了器件的抗干扰能力。
　　在热管理方面，TO-263（D2PAK）封装提供了良好的散热性能，使器件能够在高功率条件下稳定运行。该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，MJ10202 具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在高能脉冲环境下的可靠性。
　　由于其优异的性能和稳定性，MJ10202 在同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等领域中被广泛应用。