时间：2025/12/27 17:07:39
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B4P7-VH-R(LF)(SN) 是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench MOS结构，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在小型且符合工业标准的SOP（Small Outline Package）封装中，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效导通，适合用于电池供电系统、负载开关、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景。该型号标注了(LF)表示其为无铅（Lead-Free）环保产品，符合RoHS指令要求，(SN)通常代表卷带包装（Tape and Reel），适用于自动化贴片生产流程。B4P7-VH-R系列经过优化，在保持高性能的同时降低了功耗，提升了系统的整体能效。该器件的工作温度范围较宽，通常支持-55°C至+150°C的结温范围，确保在各种环境条件下稳定运行。
型号：B4P7-VH-R(LF)(SN)
类型：P沟道MOSFET
封装/包：SOP-8
通道数：单通道
漏源电压(Vdss)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.4A
脉冲漏极电流(Idm)：-13A
导通电阻(Rds(on))：45mΩ @ Vgs = -4.5V, 60mΩ @ Vgs = -2.5V
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：400pF @ Vds = 10V
反向恢复时间(trr)：未指定
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
安装类型：表面贴装(SMT)
B4P7-VH-R(LF)(SN) 具备出色的电气性能和可靠性，其核心优势在于采用了ROHM专有的Trench结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，支持-4.5V及-2.5V的逻辑电平驱动，兼容现代低压控制IC输出，非常适合用于3.3V或更低系统电压的应用场景。其Rds(on)典型值仅为45mΩ（在Vgs=-4.5V时），即使在小尺寸封装下也能实现较大电流承载能力，有效减少发热。
该MOSFET具有良好的热稳定性，SOP-8封装具备一定的散热能力，通过PCB布局优化可进一步提升散热效果。器件内部寄生二极管具有较快的反向恢复特性，有助于降低开关过程中的能量损耗，尤其在同步整流或H桥驱动中表现优异。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，增强了在实际生产与使用中的鲁棒性。
B4P7-VH-R系列还注重环保与制造兼容性，无铅封装符合RoHS和无卤素要求，适用于绿色电子产品设计。其卷带包装形式便于自动贴片机取料，提高SMT生产线效率。器件可靠性经过严格测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环试验，确保长期运行稳定性。广泛应用于移动设备、无线耳机、智能手表、IoT终端等对尺寸和功耗敏感的产品中。
该器件常用于便携式电子设备中的电源开关控制，如智能手机和平板电脑中的电池管理模块、LCD背光驱动开关、外设电源启停控制等。在DC-DC降压或升压转换器中作为高端或低端开关元件，实现高效的电压调节。也可用于负载开关电路，防止浪涌电流影响主电源系统。此外，适用于电机驱动、继电器替代、USB端口过流保护以及各类需要P沟道MOSFET进行高边开关控制的场合。由于其小型化封装和高效特性，特别适合高集成度消费类电子产品。
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"BSS84",
"DMG2305UX",
"AO3415",
"Si2301DS",
"FDS6670A"
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