MJ100AA55 是一款由 ON Semiconductor 生产的高电压和高电流双极性晶体管(BJT),属于功率晶体管系列。该晶体管专为高功率应用而设计,能够在高压和大电流条件下稳定工作。MJ100AA55 采用 TO-3P 封装,具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高稳定性的电子设备。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压 (VCEO):100V
最大集电极电流 (IC):15A
功耗 (PD):150W
封装类型:TO-3P
增益带宽积 (fT):5MHz
最小电流增益 (hFE):50
最大基极电流 (IB):1A
MJ100AA55 是一款专为高功率和高可靠性设计的 NPN 晶体管。其最大集电极-发射极电压为 100V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电路中的功率放大和开关应用。晶体管的最大集电极电流为 15A,支持较大的负载电流,适合用于电源管理、电机控制和工业自动化设备。
该晶体管的功耗为 150W,结合 TO-3P 封装的优良散热性能,能够在高温环境下保持稳定工作。其增益带宽积为 5MHz,支持中高频应用,确保信号的快速响应和稳定放大。最小电流增益为 50,提供较高的放大能力,适合用于各种放大电路。
MJ100AA55 的最大基极电流为 1A,能够支持较大的驱动能力,确保晶体管在高负载条件下的稳定运行。此外,晶体管具有较高的热稳定性和抗过载能力,能够在复杂的工作环境中保持长期可靠性。
MJ100AA55 主要用于高功率放大器、电源管理、电机控制、工业自动化设备以及开关电源等应用。由于其高压和大电流特性,该晶体管适合用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
MJ100AA55 的替代型号包括 MJ100AA54 和 MJ100AA56。这些型号在性能和参数上相近,可以根据具体需求进行选择和替换。