PMPB95ENEA 时间：2025/9/14 20:30:11 阅读：13

PMPB95ENEA 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适合用于电源转换、马达控制、DC-DC 转换器和负载开关等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：110A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 7.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

PMPB95ENEA 的主要特性之一是其低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。在 10V 的栅极驱动电压下，其 RDS(on) 最大为 7.5mΩ，这使得该器件非常适合用于高电流应用场景。此外，该 MOSFET 具有高达 110A 的连续漏极电流能力，能够承受较大的负载需求。
　　该器件的另一个关键特性是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压为 100V，使其适用于中高电压系统，例如 DC-DC 转换器和电池管理系统。栅极-源极电压为 ±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，这是一种广泛使用的通孔封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于散热设计和 PCB 布局。此外，该封装也易于安装散热片，以进一步提升热管理性能。
　　器件的功率耗散能力为 300W，表明其能够处理较高的热负荷。工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和汽车环境。

应用

PMPB95ENEA 主要用于需要高电流和高效率的功率管理应用。例如，在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关控制。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率电源转换应用的理想选择。
　　在马达控制和工业自动化系统中，PMPB95ENEA 可用于 H 桥电路和 PWM 控制，以实现高效的马达驱动。此外，由于其高耐压和高电流能力，该器件也常用于电池管理系统（如电动工具、电动自行车和储能系统）中的充放电控制电路。
　　汽车电子领域也是该器件的重要应用方向，例如用于车载充电器、起停系统、电控助力转向系统（EPS）等。其宽工作温度范围和高可靠性确保了其在严苛环境下的稳定运行。