MIXA50PM650TMI 是一款由 IXYS(现属于Littelfuse)公司生产的功率MOSFET模块,适用于高功率和高频率的应用场景。该模块采用先进的功率封装技术,具备良好的热管理和电气性能,能够在高电压和大电流条件下稳定运行。MIXA50PM650TMI 通常用于电源转换器、电机驱动、工业自动化设备以及可再生能源系统等对效率和可靠性要求较高的场合。
类型:N沟道 MOSFET 模块
漏极电流(Id):50A
漏极-源极击穿电压(Vds):650V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):典型值 0.18Ω
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-247AC(单管)或模块化封装
安装方式:通孔(Through Hole)
技术:Si(硅)
MIXA50PM650TMI 采用先进的硅基功率MOSFET技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体系统效率。其高耐压能力(650V)使得该器件适用于多种高电压应用场景。该模块还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定工作,延长使用寿命。
此外,MIXA50PM650TMI 的栅极驱动设计简化了控制电路的设计难度,降低了对驱动电路的要求。其快速开关特性可显著减少开关损耗,提高电源转换效率,适用于高频开关应用。该器件还具备较强的短路耐受能力,有助于在异常工况下保护系统免受损坏。
MIXA50PM650TMI 主要应用于各种高功率和高效率的电力电子系统中,如DC-DC转换器、AC-DC电源模块、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制驱动器、电焊设备以及工业自动化控制系统等。
IXFH50N65X2, IXFN50N65X2, IRFP4668, APTT65HF50BDG