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IPD060N03L G 发布时间 时间:2025/6/22 10:59:38 查看 阅读:3

IPD060N03L G 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能的功率转换应用。此型号为N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-Leadless (TOLL),能够提供卓越的热性能和电性能。
  这款MOSFET在电源管理领域非常受欢迎,特别适合要求高效率、小体积的设计场景,例如DC-DC转换器、同步整流器以及电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻:1.2mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:49nC(典型值)
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TOLL(TO-Leadless)

特性

IPD060N03L G 的主要特性包括超低导通电阻、出色的热性能以及高效的功率转换能力。
  1. 超低导通电阻:该器件的导通电阻仅为1.2mΩ(典型值),这使得它在大电流应用中表现出极低的功耗。
  2. 高效散热:由于采用了TOLL封装,该器件能够有效将热量传导到PCB上,从而提高整体散热性能。
  3. 快速开关:极低的栅极电荷(49nC典型值)使该MOSFET具备快速开关的能力,从而减少开关损耗并提升系统效率。
  4. 高可靠性:该器件能够在高达175℃的工作温度下稳定运行,同时其坚固的结构设计保证了长期使用的可靠性。

应用

IPD060N03L G 广泛应用于需要高性能功率转换的场景:
  1. DC-DC转换器:在降压或升压转换器中作为主开关元件。
  2. 同步整流:用于提高电源适配器和电池充电器的效率。
  3. 电机驱动:控制无刷直流电机或其他类型的电机。
  4. 逆变器:用于太阳能逆变器以及其他电力电子设备。
  5. 开关电源(SMPS):在各种消费类和工业类开关电源中作为关键功率元件。

替代型号

IPW120N03L G, IPS060N03L G

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IPD060N03L G参数

  • 数据列表IP(D,F,S,U)060N03L G
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 15V
  • 功率 - 最大56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装PG-TO252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPD060N03LGIPD060N03LGINTRIPD060N03LGXTSP000236948