制造商：Mitsubishi Electric
　　类型：LDMOS射频功率晶体管
　　输出功率：450W（连续波）
　　工作频率：最高至1250MHz
　　漏极电压：65V
　　输入阻抗：50Ω
　　增益：约25dB
　　效率：约70%
　　封装类型：气密陶瓷封装
　　热阻：约0.25°C/W
　　最大工作温度：+150°C

MITH450RF1200LP具有多项先进的性能特点，使其在射频功率放大领域表现出色。首先，该器件采用LDMOS技术，使其在高频条件下仍能保持高效率和稳定性。与传统的双极晶体管相比，LDMOS晶体管在高功率应用中具有更低的互调失真和更高的线性度，这使得MITH450RF1200LP特别适合用于需要高质量信号传输的系统中。
　　其次，MITH450RF1200LP具有优异的热管理能力。其低热阻（约0.25°C/W）确保了在高功率运行时器件能够有效散热，从而延长了使用寿命并提高了系统可靠性。此外，该晶体管的气密陶瓷封装设计能够提供良好的机械稳定性和抗环境影响能力，适合在高温、高湿等恶劣环境中使用。
　　另外，MITH450RF1200LP具有较高的增益（约25dB），这意味着在放大链路中可以减少前置放大器的级数，从而降低系统复杂度和成本。同时，该器件的高效率（约70%）有助于减少电源消耗和热量生成，提高了整体系统的能效和运行经济性。
　　最后，MITH450RF1200LP具备宽频率覆盖能力，适用于从UHF到L波段的广泛应用，如无线基础设施、广播发射机、工业加热、医疗射频设备等。其50Ω的输入阻抗也使得它易于与标准射频系统集成，简化了匹配网络的设计。

MITH450RF1200LP广泛应用于多个高功率射频系统中。在通信领域，它常用于蜂窝基站、广播发射机（如FM/TV广播）以及宽带无线接入系统中的射频功率放大模块。由于其高线性度和低失真特性，MITH450RF1200LP也适用于多载波通信系统，如DVB-T、CDMA和WCDMA基站放大器。
　　在工业和医疗领域，该晶体管可用于射频加热设备、等离子体发生器以及射频治疗仪器。其高输出功率和稳定性使其成为高能效加热和材料处理系统的理想选择。
　　此外，MITH450RF1200LP也可用于军事和航空航天应用中的雷达系统、测试设备以及通信中继设备，其高可靠性和抗环境能力使其在苛刻环境下仍能保持稳定运行。

MTH450RF1200N, MITH450RF1200H