时间：2025/10/11 6:38:34
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21FXV-RSM1-GAN-ETF(LF)(SN)(M) 是一款由Vishay Semiconductors生产的高速光耦合器（Optocoupler），采用先进的GaAs（砷化镓）LED技术和硅光电探测器技术，具有高隔离电压、快速响应时间以及优异的抗噪声能力。该器件主要用于需要电气隔离的信号传输应用中，例如开关电源反馈回路、工业控制、逆变器系统、PLC模块以及通信接口等场景。其封装形式为表面贴装的6引脚DIP（Dual In-line Package），符合RoHS环保标准，并带有UL和cUL安全认证，适用于全球范围内的工业与消费类电子产品设计。该型号后缀中的(LF)表示无铅（Lead-Free），(SN)代表卷带包装（Tape and Reel），(M)通常指符合特定制造或可靠性规范。这款光耦通过输入端的红外发光二极管驱动输出侧的光电晶体管，在实现电信号单向传输的同时提供高达5000 VRMS的隔离电压，有效防止高压干扰对低压控制电路的影响。此外，其CTR（电流传输比）性能稳定，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适合在恶劣环境下长期运行。
型号：21FXV-RSM1-GAN-ETF(LF)(SN)(M)
制造商：Vishay Semiconductors
器件类型：光耦合器 / 光电晶体管输出光耦
通道数：1 通道
封装类型：6-DIP，表面贴装（SMD）
隔离电压：5000 VRMS（1分钟，UL1577）
最大工作温度：+110 °C
最小工作温度：-55 °C
正向电压（VF）：典型值 1.2 V，最大值 1.5 V（IF = 10 mA）
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ 0.4 V（IC = 500 μA, IF = 5 mA）
上升时间（tr）：≤ 4 μs（典型条件下）
下降时间（tf）：≤ 3 μs
输入正向电流（IF）：最大 60 mA
输出集电极电流（IC）：最大 100 mA
电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（IF = 5 mA, VCE = 5 V, TA = 25°C）
绝缘电阻：≥ 10^11 Ω
介电强度：5000 VRMS / 1 min
工作温度范围：-55°C 至 +110°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
21FXV-RSM1-GAN-ETF(LF)(SN)(M) 具备出色的电气隔离性能和高可靠性，是工业级光耦中的优选器件之一。其核心优势在于采用了高性能的GaAs红外LED与硅基NPN光电晶体管的组合结构，这种配置不仅提升了光转换效率，还显著增强了信号传输的速度与稳定性。该器件的电流传输比（CTR）范围宽广，从50%到600%，意味着它可以在多种负载条件下保持良好的线性响应，适用于模拟与数字信号隔离场合。更重要的是，即使在高温或长时间运行环境下，其CTR衰减率较低，确保了系统的长期稳定性。
该光耦支持最高达5000 VRMS的隔离电压，满足UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等多种国际安全标准，适用于医疗设备、工业自动化、可再生能源系统等对安全性要求极高的应用场景。其封装设计优化了爬电距离和电气间隙，进一步提高了抗电弧和耐压能力。表面贴装的6-DIP封装形式便于自动化生产装配，节省PCB空间，同时具备良好的散热性能。
响应时间方面，该器件的上升时间不超过4微秒，下降时间小于3微秒，能够胜任中速数字信号的隔离传输任务，如PWM控制信号、状态反馈信号等。尽管不适用于极高频率的应用（如百兆以上通信），但在常见的开关电源反馈环路、微控制器I/O隔离、继电器驱动隔离等领域表现优异。此外，器件经过严格的筛选和测试，保证批次一致性，适合大批量使用。内置的屏蔽层设计也有效降低了外部电磁干扰对信号传输的影响，提升系统EMI兼容性。
该光耦广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。典型用途包括：开关模式电源（SMPS）中的反馈控制电路，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递至初级侧控制器，防止高压窜入低压控制部分；工业可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块，实现现场传感器或执行器与内部逻辑电路之间的隔离；电机驱动器与逆变器系统中的栅极驱动信号隔离，保障主控芯片免受功率级噪声影响；UPS不间断电源、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）等新能源领域中的信号隔离环节。
此外，该器件也可用于通信接口的电平转换与隔离，例如RS-232、RS-485收发器前端的隔离保护，防止地环路干扰或雷击感应电压损坏主机设备。在医疗电子设备中，由于其符合严格的安全隔离标准，常被用于患者连接设备的信号隔离，以确保人身安全。测试测量仪器、数据采集系统、智能电表等也需要此类高可靠性光耦来实现精准、安全的数据传输。得益于其宽温工作范围和高抗扰度，该器件同样适用于汽车电子、轨道交通等复杂电磁环境下的控制系统。
EL357SC-X
