类型: LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围: 1700MHz
　　最大输出功率: 200W
　　增益: 18dB
　　效率: 65%
　　工作电压: 28V
　　封装类型: TO-247
　　阻抗匹配: 50Ω

MITH200RF1700LP具有多项突出特性，使其成为高性能射频系统的理想选择。首先，其高输出功率能力（200W）确保在射频放大器中提供足够的信号强度，满足长距离通信和高功率发射需求。其次，该晶体管具有高增益（18dB），可以有效放大输入信号，降低对前级放大器的要求，从而简化系统设计。
　　该器件的工作频率覆盖1700MHz，适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA和LTE等，确保在不同应用场景下的兼容性和稳定性。其高效率（65%）意味着在提供高功率输出的同时，能够减少能量损耗，降低系统功耗和散热需求，提高整体能效。
　　MITH200RF1700LP采用28V电源供电，兼容大多数射频电源管理系统，确保在各种应用中的灵活性和通用性。此外，该晶体管内置50Ω阻抗匹配网络，便于与射频传输线路直接连接，减少外部匹配电路的复杂性，提高系统的整体集成度和可靠性。
　　该器件采用TO-247封装，提供良好的散热性能，确保在高功率运行时的稳定性和耐用性。这种封装形式还具有良好的机械强度，适用于工业和军事级别的应用环境，能够承受较高的振动和温度变化。

MITH200RF1700LP广泛应用于多个高功率射频系统中，包括无线基站、广播发射机、雷达系统和工业射频加热设备。在无线通信领域，该晶体管常用于基站功率放大器，支持GSM、CDMA和LTE等主流移动通信标准，确保高质量的信号传输和覆盖范围。
　　在广播系统中，MITH200RF1700LP可用于调频（FM）或数字音频广播（DAB）发射机的功率放大模块，提供稳定的高功率输出，确保广播信号的清晰度和覆盖范围。此外，在雷达系统中，该晶体管可用于发射机的射频放大部分，提供高增益和高效率的信号放大功能，提高雷达系统的探测精度和反应速度。
　　由于其优异的热稳定性和高可靠性，MITH200RF1700LP也适用于工业和医疗射频设备，如射频加热系统和等离子体发生器，确保在高温和高功率环境下依然能够稳定运行。

MOSFET: NXP AFT28S200BN
　　晶体管: Freescale MRFE6VP2030N
　　型号: STMicroelectronics STAC28170A
　　器件: Toshiba 2SC2879