ESD3E1G5BT是一款高性能的TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压的影响。该器件采用DFN封装,具有低电容和快速响应时间的特点,适用于高速数据线路的保护,例如USB、HDMI和以太网等接口。ESD3E1G5BT能够在不影响信号完整性的前提下提供强大的浪涌防护能力。
工作电压:5V
击穿电压:6.8V
最大箝位电压:12.8V
峰值脉冲电流:5A
结电容:0.4pF
响应时间:1ps
封装形式:DFN-2
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 高效的ESD防护性能,符合IEC61000-4-2标准,可承受±20kV接触放电和±30kV空气放电。
2. 极低的负载电容(0.4pF),适合高速数据线应用。
3. 快速响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态过电压。
4. 小型化DFN封装设计,节省PCB空间。
5. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
ESD3E1G5BT广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中的高速接口保护,具体包括:
1. USB2.0/3.0接口保护。
2. HDMI/DVI接口保护。
3. 以太网PHY芯片端口保护。
4. 移动设备(智能手机、平板电脑)中的天线和I/O端口防护。
5. 工业自动化系统中的传感器信号线防护。
6. GPS和蓝牙模块的射频前端保护。
ESD3V3G5BT, SMAJ5.0A, PESD5V0GA