时间：2025/9/2 9:36:17
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H9CKNNNBPTMRLR-NTM是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽内存解决方案的一部分，广泛应用于需要快速数据访问的电子设备和系统中，例如计算机、服务器、图形卡和嵌入式系统等。该型号的具体配置和规格使其适合用于高性能计算或图形处理场景。
容量：8GB
类型：DRAM
接口：LPDDR4x
时钟频率：3200MHz
电压：1.1V
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9CKNNNBPTMRLR-NTM是一款LPDDR4x SDRAM芯片，具有低功耗设计，同时保持了较高的数据传输速率。其3200MHz的时钟频率能够提供高达25.6GB/s的带宽，从而显著提升系统性能。此外，该芯片采用先进的制造工艺，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。该芯片的BGA封装形式有助于减少信号干扰并提高电气性能，适用于高密度PCB布局。
该芯片的另一个重要特性是其节能模式，可以在设备空闲时降低功耗，从而延长电池供电设备的续航时间。此外，该芯片支持多种刷新模式，以确保数据的完整性并优化功耗。由于其高性能和低功耗的特性，这款DRAM芯片非常适合用于高端移动设备、服务器内存模块、图形加速器和其他对性能和能效要求较高的应用。
H9CKNNNBPTMRLR-NTM广泛应用于需要高速内存访问的设备和系统中，例如高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑、图形处理单元（GPU）、服务器内存模块以及嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性也使其成为高性能计算和人工智能应用中的理想选择。
H9CPGNNFBAAAOLR-NTM, H9CPCNNDPTMRLR-NTM
