时间：2025/5/7 22:46:00
阅读：8
ISC007N04NM6 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，能够有效降低功耗并提高系统效率。
ISC007N04NM6 的封装形式为 SOT-23 封装，具备良好的散热性能和紧凑的设计，适合对空间要求较高的应用场合。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：70mΩ
栅极电荷：5nC
输入电容：150pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
ISC007N04NM6 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，可支持高频开关应用，减少电磁干扰 (EMI)。
3. 高雪崩耐量能力，确保在异常情况下也能正常工作。
4. 紧凑的 SOT-23 封装设计，适合小型化和便携式设备。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
ISC007N04NM6 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压电路。
3. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
4. 负载开关，用于控制电子设备的供电状态。
5. 电机驱动电路，适用于小型直流电机控制。
IRF7404, FDS6680A
