类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：490 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：4 A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2 Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

IXTP4N49 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下，器件的功率损耗保持在较低水平，从而提高整体效率。其次，该 MOSFET 的漏源电压额定值为 490 V，使其适用于高电压操作环境，同时具备良好的击穿耐受能力。
　　此外，IXTP4N49 的连续漏极电流额定值为 4 A，能够在持续负载条件下提供稳定的性能。其高功率耗散能力（125 W）意味着器件可以处理较大的功率负载，而不至于因过热而失效。这得益于其优化的封装设计，能够有效散热并保持较低的工作温度。
　　该器件采用 TO-220 封装形式，具有良好的机械稳定性和热传导性能。这种封装方式广泛应用于功率电子设备中，便于安装和散热管理。IXTP4N49 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其能够在极端环境条件下正常运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，该 MOSFET 的栅源电压额定值为 ±20 V，提供较高的驱动灵活性。这使得 IXTP4N49 可以与多种类型的驱动电路兼容，简化了设计和集成过程。同时，其内部结构优化减少了开关损耗，提高了高频应用中的性能。

IXTP4N49 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、工业控制、电机驱动、DC-DC 转换器以及照明系统。在电源管理应用中，该 MOSFET 可用于高效能的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，以实现高效率的功率转换。在工业控制系统中，IXTP4N49 可作为开关元件，用于控制高功率负载，如加热元件和电动机。此外，该器件还适用于照明系统，如 LED 驱动器和电子镇流器，提供稳定的电流控制和高效率的运行性能。

IXTP4N49A, IXTP4N50A, IXTP6N49A