时间:2025/10/30 9:15:48
阅读:10
RH80536是一款由Richtek(立锜科技)推出的高效同步降压DC-DC转换器,专为需要高效率、低噪声和紧凑设计的便携式设备及嵌入式系统而设计。该芯片采用电流模式控制架构,支持宽输入电压范围,适用于单节或多节锂电池供电的应用场景。RH80536集成了上管和下管功率MOSFET,显著减少了外部元件数量,有助于缩小整体解决方案尺寸。其内部固定频率振荡器确保稳定的工作频率,同时具备良好的瞬态响应能力,能够在负载快速变化时维持输出电压的稳定性。此外,该器件还内置了多种保护机制,如过流保护、过温保护和输出短路保护,提升了系统的可靠性与安全性。RH80536提供小型化封装,适合空间受限的应用环境,并通过优化的引脚布局降低EMI干扰,提升电磁兼容性能。
工作输入电压范围:2.7V ~ 5.5V
输出电压范围:0.8V ~ 3.6V(可调)
最大连续输出电流:3A
开关频率:1.8MHz(典型值)
静态电流:30μA(关断模式)
待机电流:1μA(最大)
占空比范围:0% ~ 100%
反馈参考电压:0.6V ±1%
导通电阻(上管/下管):45mΩ / 35mΩ(典型)
工作结温范围:-40°C ~ +125°C
封装形式:WDFN-8L 2mm×2mm
RH80536采用恒定频率电流模式控制架构,能够在全负载范围内实现优异的环路稳定性与动态响应性能。该控制方式通过监测电感电流实现逐周期限流,有效防止因过载或启动过程中的电流冲击导致器件损坏。在轻载条件下,芯片自动进入省电模式(Power-Saving Mode),通过脉冲跳跃(Pulse Skipping)技术降低开关频率,从而显著提升轻载效率,延长电池供电设备的续航时间。同时,该模式下仍能保持较低的输出电压纹波,满足对电源噪声敏感的应用需求。
RH80536集成了低导通电阻的P沟道(上管)和N沟道(下管)MOSFET,不仅提高了整体转换效率,还减少了对外部功率器件的需求,简化了电路设计。其1.8MHz的高开关频率允许使用小型陶瓷电感和电容,进一步缩小PCB面积,非常适合移动设备、穿戴式产品和物联网终端等对空间要求严苛的应用场景。芯片内部设有软启动电路,可限制启动时的浪涌电流,避免输入电源电压跌落影响系统其他部分正常工作。
为了增强系统可靠性,RH80536内置多重保护功能。当检测到输出过流或短路情况时,控制器会立即限制峰值电流并触发打嗝模式(hiccup mode),周期性地尝试重启,直至故障排除,从而避免持续过热损坏。过温保护机制则在结温超过安全阈值时自动关闭输出,待温度下降后恢复正常运行。此外,芯片支持使能(EN)引脚控制,可实现外部逻辑关断,进入超低功耗待机状态,便于系统进行电源管理调度。
RH80536广泛应用于各类便携式电子设备中,尤其是对电源效率、体积和噪声有较高要求的产品。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的子系统供电,例如为传感器模块、无线通信单元(如Wi-Fi、蓝牙、NFC)、摄像头模组以及音频编解码器提供稳定的低压直流电源。由于其具备良好的瞬态响应能力和低输出纹波特性,也适用于为高性能微处理器、FPGA或ASIC的核心电压域供电。
在工业与消费类电子产品中,RH80536可用于小型化IoT节点、无线传感器网络、智能家居控制面板以及便携式医疗设备(如血糖仪、心率监测仪)的电源管理设计。其宽输入电压适应能力使其能够兼容单节锂离子/锂聚合物电池(3.0V~4.2V)以及5V USB供电系统,无需额外的前置稳压器即可直接接入主电源轨。此外,在需要多路电源轨的系统中,RH80536常作为二次降压调节器,配合LDO或其他电源器件共同构建完整的PMU方案。得益于出色的EMI抑制设计和小封装优势,该芯片特别适合用于高密度PCB布局和对电磁干扰敏感的射频前端供电场合。