MITH125RF1700YI 是一款高性能的射频功率晶体管,专为工业、科学和医疗(ISM)频段的高功率射频应用而设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,具有高效率、高增益和出色的热稳定性,适用于无线通信、射频加热、等离子体发生器和射频测试设备等领域。MITH125RF1700YI 在 1700 MHz 工作频率下提供高达 125 W 的连续波(CW)输出功率,是一款可靠的射频功率放大解决方案。
制造商: Mitsubishi Electric
产品类型: 射频功率晶体管
技术: LDMOS
工作频率: 1700 MHz
输出功率: 125 W
封装类型: 螺旋型封装
漏极电压: 28 V
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
存储温度范围: -65°C 至 +150°C
输入阻抗: 50Ω
散热: 需外部散热器
MITH125RF1700YI 是一款针对高频和高功率应用优化的射频功率晶体管,具备出色的性能和可靠性。其采用LDMOS工艺制造,能够在1700 MHz的频率下提供高达125 W的输出功率,适用于需要高线性和高效放大的应用。该器件的高效率特性使其在运行过程中消耗较少的电能并产生较少的热量,从而降低了对散热系统的要求。此外,MITH125RF1700YI 具有宽工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定工作,适用于工业级和高可靠性应用场景。
MITH125RF1700YI 的输入阻抗为50Ω,便于与射频前端电路匹配,减少了外部匹配元件的需求,简化了设计流程。其螺旋型封装不仅提供了良好的射频性能,还增强了散热能力,确保长时间运行的稳定性。该器件还具有良好的抗失真能力,适用于需要高信号保真的无线通信系统。此外,它具备较高的击穿电压耐受能力,能够在较宽的电压范围内稳定工作,提高了系统的容错能力。
MITH125RF1700YI 主要用于各种高功率射频系统中,如无线基站放大器、射频测试设备、医疗射频治疗设备、工业射频加热系统和等离子体发生器。其高输出功率和优异的效率使其成为无线通信基础设施中的理想选择,尤其是在需要高可靠性和高线性度的系统中。此外,该器件也适用于广播系统、射频能量应用以及科研实验设备中的功率放大模块。
MTH10000YI, MITH125RF1900YI