型号：EMD12 T2R
　　器件类型：光电晶体管输出光耦合器
　　通道数：1通道
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VCEO）：35 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.4 V（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%（在IF = 5mA, VCE = 5V条件下）
　　响应时间：上升时间（tr）= 2 μs，下降时间（tf）= 3 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　封装形式：DIP-4（双列直插4引脚）
　　引脚配置：共阴极或标准配置（依据具体版本）
　　波长峰值响应：约900 nm（红外区域）

EMD12 T2R光耦合器具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 Vrms，能够有效防止高电压对低压控制电路的干扰或损坏，适用于各种需要强电与弱电隔离的应用场景。该器件的电流传输比（CTR）范围宽广，从50%到600%不等，这意味着它在不同的输入电流条件下都能提供稳定的输出响应，适应性强，适合用于线性信号传输以及数字开关应用。
　　其光电晶体管输出结构具有较高的增益和较低的漏电流，在关闭状态下表现出良好的关断特性，有助于减少误触发和功耗。同时，器件的响应时间较快，上升时间为2微秒，下降时间为3微秒，足以满足中速信号隔离的需求，例如在PWM控制、逻辑电平转换和继电器驱动中的应用。
　　EMD12 T2R采用DIP-4封装，便于手工焊接和自动化装配，广泛兼容现有的PCB设计标准。该封装还提供了良好的散热性能和机械强度，增强了长期运行的可靠性。工作温度范围覆盖-55°C至+110°C，使其能在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统。
　　此外，该光耦符合RoHS环保要求，并通过了多项国际安全认证，包括UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、EN/IEC 60747-5-2等，确保其在全球市场的合规性。其LED与光电晶体管之间的高绝缘电阻（通常大于10^11 Ω）和低分布电容（几皮法）进一步提升了其抗噪声能力和共模瞬变抑制能力（CMR），即使在存在快速电压变化的环境中也能可靠工作。这些综合特性使EMD12 T2R成为工业控制、电源反馈回路和通信接口中理想的隔离解决方案。

EMD12 T2R广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传递给初级侧的PWM控制器，防止高压窜入低压控制部分，保障系统安全与稳定性。在工业自动化领域，该光耦可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现传感器信号与控制系统之间的隔离，提升抗干扰能力。
　　在电机驱动和逆变器系统中，EMD12 T2R可用于隔离控制信号与功率桥臂的驱动电路，避免地环路噪声影响控制精度。此外，它也常用于微处理器系统的I/O扩展隔离，保护主控芯片免受外部设备可能引入的浪涌或静电损伤。
　　通信接口如RS-232、RS-485等长距离数据传输线路中，使用EMD12 T2R可以有效隔离不同设备之间的地电位差，防止接地回路引起的信号失真或设备损坏。在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格要求，该类光耦也被用于实现信号隔离以满足医疗安全标准。
　　其他应用还包括电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、智能电表、照明控制系统以及家用电器中的控制板隔离等。凭借其高可靠性、宽工作温度范围和良好的CTR特性，EMD12 T2R在各类中低速信号隔离场合表现出色，是工程师在设计隔离电路时常用的优选器件之一。

TLP521-1
　　PC817X1NIP0F
　　K817