STW7NC90Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的硅工艺,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能。STW7NC90Z属于N沟道增强型MOSFET,适用于汽车电子、工业电源、电机控制和功率转换系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):7A(在Tc=100℃)
脉冲漏极电流(Idm):28A
导通电阻(Rds(on)):最大1.65Ω(在Vgs=10V时)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:TO-247
STW7NC90Z具备多项关键特性,确保其在严苛工作条件下的稳定性和可靠性。首先,其高达900V的漏源击穿电压(Vds)使其适用于高电压应用,如开关电源(SMPS)和电动车辆充电系统。其次,该MOSFET的导通电阻较低,有助于降低导通损耗并提高能效。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其兼容多种驱动电路,并提高了在不同应用中的灵活性。
STW7NC90Z采用先进的沟槽栅技术,优化了电场分布,减少了开关损耗,并提高了器件的热稳定性。该MOSFET的封装形式为TO-247,具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。其内部结构设计也增强了抗雪崩能力和短路耐受能力,从而提升了整体系统可靠性。
另外,该器件符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于汽车应用,如车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电机驱动系统。其高可靠性和高温耐受性使其在恶劣环境中依然能够稳定运行。
STW7NC90Z广泛应用于高功率和高压系统中,包括开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)。在工业自动化领域,该MOSFET常用于伺服驱动器和变频器等设备中,提供高效的功率控制。由于其符合AEC-Q101标准,因此也广泛用于汽车电子系统,如电动车(EV)和插电式混合动力车(PHEV)的车载充电器、电池管理系统以及高压辅助设备的控制电路。
此外,STW7NC90Z还可用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电转换系统,以实现高效的能量转换。其优异的热管理和抗电磁干扰能力也使其适用于高频开关应用,如无线充电和感应加热系统。
STW7NC90K、STW8NK90Z、STW9NK90Z、FQA7N90C、FQPF7N90C