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FGD3325G2-F085V 发布时间 时间:2025/3/27 14:38:23 查看 阅读:12

FGD3325G2-F085V 是一款基于硅技术的高性能场效应晶体管(FET),专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
  该型号属于 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)推出的 FGD 系列 MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率处理的场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):46nC
  总电容(Ciss):1690pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可显著降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力(25A),适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,能够有效减少开关损耗,从而提升整体性能。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 宽广的工作至 +175℃),适应多种极端条件下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流和功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 工业逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 各种需要高效功率转换和控制的消费类电子产品。

替代型号

FGD3325G2L-F085V, IRF3710, SI4485DY

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FGD3325G2-F085V参数

  • 现有数量5,000现货15,000Factory
  • 价格1 : ¥13.12000剪切带(CT)2,500 : ¥6.01579卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)250 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)41 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)-
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.25V @ 4V,6A
  • 功率 - 最大值150 W
  • 开关能量-
  • 输入类型逻辑
  • 栅极电荷21 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值800ns/5.1μs
  • 测试条件5V,1 千欧
  • 反向恢复时间 (trr)1.2 μs
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装TO-252AA