时间：2025/3/27 14:38:23
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FGD3325G2-F085V 是一款基于硅技术的高性能场效应晶体管（FET），专为高频开关和功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理解决方案。
该型号属于 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）推出的 FGD 系列 MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率处理的场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷（Qg）：46nC
总电容（Ciss）：1690pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力（25A），适合大功率应用场景。
3. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，从而提升整体性能。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 宽广的工作至 +175℃），适应多种极端条件下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流和功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各种需要高效功率转换和控制的消费类电子产品。
FGD3325G2L-F085V, IRF3710, SI4485DY
