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SMMBTA06LT3G 发布时间 时间:2024/8/23 14:28:45 查看 阅读:249

极性:NPN
  耗散功率:300 mW
  增益频宽积:100 MHz
  击穿电压(集电极-发射极):80 V
  集电极最大允许电流:0.5A
  最小电流放大倍数(hFE):100
  额定功率(Max):225 mW
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):300 mW

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:SOT-23-3

外形尺寸

长度:3.04 mm
  宽度:2.64 mm
  高度:1.11 mm
  封装:SOT-23-3

物理参数

材质:Silicon
  工作温度:-55℃~150℃(TJ)

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)

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SMMBTA06LT3G参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列*