时间：2025/12/27 9:17:22
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BKP2125HS221-T是一款由韩国信泰电子（Simtek，现为ISSI Integrated Silicon Solution, Inc.）推出的高可靠性、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于其先进的高性能SRAM产品线，专为需要高速数据存取、稳定性和持久数据保持的应用而设计。BKP2125HS221-T采用28引脚SOIC封装，具备标准异步SRAM接口，工作电压为3.3V，典型访问时间低至12ns，适用于对性能和稳定性要求较高的工业控制、通信设备、医疗仪器及嵌入式系统等应用场景。该芯片内置非易失性存储技术或与外部电池配合使用，可在主电源失效时自动将关键数据保存到内部备份存储区，确保重要信息不丢失。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），保证了在严苛环境下的长期可靠运行。其高集成度和紧凑封装有助于节省PCB空间，提升系统整体设计的灵活性。BKP2125HS221-T广泛应用于需要“掉电数据保护”的场合，如智能电表、PLC控制器、网络交换机配置存储等。
型号：BKP2125HS221-T
制造商：ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
器件类型：低功耗CMOS静态RAM（带备份功能）
存储容量：256K x 8位（2兆位）
工作电压：3.0V ~ 3.6V（典型值3.3V）
访问时间：12ns / 15ns / 20ns（根据速度等级）
封装形式：28-pin SOIC（Small Outline Integrated Circuit）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行异步SRAM接口
数据保持电压（VBACKUP）：典型2.0V ~ 3.6V
待机电流（ISB）：≤ 10μA（最大值）
读写电流（ICC）：约 55mA（典型值，f = 1MHz）
数据保持电流（IBACKUP）：≤ 10μA（在VBACKUP下）
是否自带锂电池：否（需外接电池或超级电容实现备份）
时序模式：异步读写，CE#/OE#/WE#控制信号
封装尺寸：符合JEDEC MS-013标准
BKP2125HS221-T的核心特性在于其结合了高速SRAM的读写性能与非易失性数据保持能力，通过外接备用电源（如锂电池或超级电容），在系统主电源断开时自动切换至低功耗备份模式，确保内部存储的数据不会丢失。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的静态功耗，在待机或备份状态下电流消耗低于10μA，显著延长了备用电源的使用寿命。其256K x 8位的存储结构提供了充足的存储空间，适用于存储系统配置参数、校准数据、运行日志等关键信息。器件支持全功能异步总线接口，包括地址线（A0-A17）、数据线（I/O0-I/O7）以及片选（CE#）、输出使能（OE#）和写使能（WE#）控制信号，兼容广泛的微控制器和处理器系统。所有输入/输出引脚均具备抗静电（ESD）保护，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。该器件经过严格的老化测试和质量管控，符合工业级应用标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作。此外，BKP2125HS221-T具备写保护机制，防止误写操作导致数据损坏；其内部电路设计优化了噪声抑制和信号完整性，提升了系统的整体稳定性。由于无需复杂的初始化流程或刷新操作，该SRAM可实现“即时启动”功能，上电即可立即访问数据，极大简化了系统设计复杂度。
BKP2125HS221-T还特别适用于需要频繁读写且不允许数据丢失的应用场景。例如，在智能电表中，它可用于记录用户的用电数据，即使在停电情况下也能通过备用电源维持数据安全；在工业PLC控制器中，可用于保存程序状态和故障日志，保障生产过程的连续性和可追溯性。其高可靠性和长寿命特性使其成为替代传统NVSRAM或带电池SRAM模块的理想选择。尽管该器件本身不集成锂电池，但其低备份电流特性允许使用小型化储能元件，从而降低系统成本和体积。同时，该芯片符合无铅（Pb-free）和RoHS指令要求，满足现代电子产品对环保的严格规范。整体而言，BKP2125HS221-T是一款集高性能、低功耗、高可靠性和易用性于一体的先进SRAM解决方案，广泛服务于工业自动化、通信基础设施、医疗设备和高端消费类电子领域。
工业控制系统（如PLC、DCS）中的实时数据缓存与配置存储
智能电表、水表、燃气表中的用户用量数据记录
通信基站、路由器和交换机的配置参数保存
医疗设备中的患者数据临时存储与设备校准信息保存
POS终端和自助服务机中的交易缓存与状态记录
汽车电子系统（如仪表盘、ECU）中的诊断信息存储
测试与测量仪器中的采样数据暂存
嵌入式系统中用于替代EEPROM或Flash作为高速非易失存储方案
IS62WVS2568A-12MLI
