时间：2025/8/13 17:53:42
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MIP2L40MY 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道结构，适用于高功率和高效率的电子应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和电流承载能力，适合用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 400V
栅源电压(Vgs): ±20V
漏极电流(Id): 2.5A
导通电阻(Rds(on)): 2.5Ω
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: TO-220
MIP2L40MY具有出色的开关性能和低导通电阻，使其在高频应用中表现出色。其高耐压能力（400V）和良好的热管理特性，使其在高压电源应用中具有很高的可靠性。此外，该MOSFET具有较高的抗过载能力，并能有效减少功率损耗，提高系统效率。
这款器件的封装形式（TO-220）便于安装和散热，适用于各种工业和消费类电子产品。MIP2L40MY还具备良好的抗静电能力，能够在复杂环境中稳定工作。
MIP2L40MY广泛应用于电源管理领域，包括开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电机控制电路。它还可用于工业自动化设备中的负载开关控制、LED照明驱动电路以及家用电器中的功率控制模块。此外，由于其高耐压特性，该MOSFET也可用于高压逆变器和电机驱动系统。
IPF80N40P, STP4NK40Z, 2SK2148
