CHT2907ZPT 时间：2025/5/10 12:54:03 阅读：17

CHT2907ZPT是一款高性能的功率MOSFET晶体管，采用先进的半导体工艺制造。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。其设计旨在提供高效率、低导通电阻以及出色的热性能。

参数

型号：CHT2907ZPT
　　类型：N-Channel MOSFET
　　漏源极电压(Vds)：60V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　栅极电压(Vgs)：10V
　　导通电阻(Rds(on))：5mΩ
　　功耗(Ptot)：140W
　　封装形式：TO-220FP
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

CHT2907ZPT具备极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，该器件具有较高的漏极电流承载能力，支持高达30A的连续电流操作，适合大功率应用。此外，它还拥有良好的开关性能和耐热性，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　由于采用了TO-220FP封装，这款MOSFET易于安装，并且能够有效散热，从而延长使用寿命。其栅极阈值电压较低，便于与逻辑电平兼容的控制器搭配使用。

应用

CHT2907ZPT广泛应用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
　　3. DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件。
　　4. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换与保护电路。
　　该器件凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多功率管理应用中表现出色。