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MIC59P50YWM TR 发布时间 时间:2025/8/11 9:48:31 查看 阅读:2

MIC59P50YWM TR 是一款由Microchip Technology推出的高电流、低电压、双路N沟道MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为高效驱动功率MOSFET而设计,适用于各种高性能电源转换系统,如同步整流器、DC-DC转换器和电机控制应用。MIC59P50YWM TR采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高驱动能力和良好的抗干扰性能。

参数

封装类型:TSSOP
  引脚数:16
  工作电压范围:4.5V 至 20V
  输出电流:每个通道最大2A(峰值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  驱动器类型:双路高端/低端MOSFET驱动器
  传播延迟:典型值15ns
  输入逻辑电平:兼容3.3V、5V逻辑
  最大工作频率:1MHz以上
  封装尺寸:5mm x 4.4mm

特性

MIC59P50YWM TR具有多个关键特性,使其在电源管理和功率转换应用中表现出色。首先,其双通道MOSFET驱动能力可有效控制两个功率MOSFET,适用于同步整流和H桥驱动等场景。芯片内部集成的高端和低端驱动器具有高侧浮动电源供电能力,可适应高电压操作环境。
  其次,MIC59P50YWM TR的工作电压范围较宽,支持4.5V至20V的电源输入,适用于多种电源拓扑结构。其输出电流能力高达2A,能够快速驱动大功率MOSFET,减少开关损耗并提高系统效率。此外,该器件的传播延迟时间仅为15ns,确保高速切换性能,适用于高频开关电源设计。
  为了增强系统的稳定性和安全性,该芯片具备欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止异常工作状态。同时,其输入端兼容3.3V和5V逻辑信号,便于与各种控制器连接。MIC59P50YWM TR采用16引脚TSSOP封装,体积小巧,适用于紧凑型电源设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件。

应用

MIC59P50YWM TR广泛应用于各种高性能电源管理系统中,例如同步降压转换器、升压转换器、半桥和全桥变换器、电机驱动电路、LED照明驱动器以及电池管理系统。此外,该器件适用于需要高效功率转换的工业设备、通信电源、服务器电源、UPS系统和电动汽车充电器等应用场合。

替代型号

[
   "MIC59P50YWM",
   "TC4420COA",
   "LM5106MM",
   "IRS2001PBF",
   "FAN73802WMA"
  ]

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MIC59P50YWM TR参数

  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型锁存驱动器
  • 输入类型非反相
  • 输出数8
  • 导通状态电阻200 千欧
  • 电流 - 输出 / 通道500mA
  • 电流 - 峰值输出-
  • 电源电压5 V ~ 12 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装24-SOIC W
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MIC59P50YWMTRMIC59P50YWMTR-ND