UMP1N 时间：2025/11/7 21:15:32 阅读：29

UMP1N是一款由安森美（onsemi）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-962封装，具有小型化、低功耗和高效率的特点。该器件专为在空间受限的便携式电子设备中进行高频整流和信号处理而设计，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及电源管理电路中。UMP1N的核心优势在于其采用的肖特基技术，使其具备较低的正向导通电压（通常在0.3V至0.45V之间），从而显著降低功耗并提高系统整体能效。同时，由于其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，因此非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、低压整流和防反接保护电路等场景。该器件额定最大重复峰值反向电压为100V，最大平均整流电流为0.1A（100mA），适用于低电流信号级应用。SOD-962封装具有非常小的占位面积（约1.0mm x 0.8mm），适合高密度PCB布局，并支持回流焊工艺，满足现代自动化生产的需求。此外，UMP1N符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适应全球绿色制造趋势。在热性能方面，该器件具有良好的散热能力，能够在较高的环境温度下稳定工作，典型工作结温范围为-55°C至+150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。作为一款高性能的微型二极管，UMP1N在智能手机、平板电脑、可穿戴设备、物联网模块以及其他需要高效能、小尺寸解决方案的应用中发挥着重要作用。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：SOD-962
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：0.1A（100mA）
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：0.45V @ 0.1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 100V；100μA @ 100°C, 100V
　　典型结电容（CJ）：~20pF @ 4V
　　反向恢复时间（trr）：≤10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

特性

UMP1N所采用的肖特基势垒结构赋予了它一系列优异的电气特性，使其在众多小型信号二极管中脱颖而出。首先，其最显著的特性是低正向导通电压（VF），在典型工作条件下（例如0.1A电流、25°C环境温度），VF仅为0.3V至0.45V之间，远低于传统PN结二极管（通常为0.7V以上）。这一特性意味着在导通状态下，UMP1N产生的功耗（P = VF × IF）更小，有助于提升电源转换效率，减少发热，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。其次，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）通常小于10纳秒，几乎不存在少数载流子的存储效应，因此在高频开关电路中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有效降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，提升了系统的稳定性与可靠性。
　　此外，UMP1N的封装形式SOD-962是一种超小型塑料封装，具有极低的寄生电感和电容，有利于高频性能的发挥。其紧凑的物理尺寸（约1.0mm × 0.8mm）使得它能够在高度集成的印刷电路板上节省宝贵的空间，特别适合用于移动终端和微型传感器模块。尽管体积微小，但其电气规格仍保持高度一致性，并经过严格的质量控制流程，确保批次间的可靠性和稳定性。该器件还具有良好的温度稳定性，在高温环境下（如100°C时）反向漏电流虽会上升至100μA，但仍处于可控范围内，不会对大多数应用造成严重影响。综合来看，UMP1N凭借其低VF、快速响应、小尺寸和高可靠性，成为现代电子设计中理想的整流与保护元件。

应用

UMP1N因其小型化和高效能的特性，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、智能手表和无线耳机，它常用于DC-DC降压或升压转换器中的续流二极管或同步整流辅助路径，帮助提高电源效率并减少热量积聚。在电源管理单元（PMU）中，该器件可用于防止电池反接或实现多电源路径之间的隔离，起到防倒灌作用。在通信接口电路中，例如USB、I2C或GPIO线路保护，UMP1N可用于瞬态电压抑制或信号钳位，保护敏感的IC引脚免受过压或静电放电（ESD）的影响。此外，在物联网（IoT）节点、RFID标签和传感器模块中，由于这些设备通常依赖能量采集或低功耗运行，UMP1N的低功耗特性显得尤为重要，能够最大限度地减少静态损耗。工业控制领域的小型PLC、传感器信号调理电路以及LED驱动电源中也常见其身影，用于实现低压整流和反向保护功能。总而言之，任何需要高效、快速、小型整流解决方案的设计都可以考虑使用UMP1N作为关键组件。