时间：2025/5/24 19:28:15
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FN18N200J500PSG是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压N沟道功率MOSFET。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高电压场景中，具有优异的开关特性和低导通电阻。其设计能够承受高达200V的漏源电压，并提供出色的电流处理能力。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.14Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：35nC（最大值）
反向恢复时间：70ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
FN18N200J500PSG采用先进的PowerTrench技术制造，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提升效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场合。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置二极管具有较低的反向恢复电荷和时间，减少开关损耗。
5. 小型化封装选项，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
这些特性使得该MOSFET成为需要高效能和可靠性的工业及消费类应用的理想选择。
FN18N200J500PSG广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，如电信电源和分布式电源系统。
3. 电机控制与驱动，涵盖家用电器、电动工具和工业自动化。
4. 负载切换电路，适用于服务器和网络设备。
5. PFC（功率因数校正）电路中的主开关元件。
6. 各种高电压逆变器和电池管理系统中的关键组件。
IRFP460, STP18NF20Z, FDP18N20E
