2SK2973 时间：2025/9/29 18:03:10 阅读：26

2SK2973是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效率和高可靠性的功率管理场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。2SK2973封装形式为SIP-7（单列直插式7引脚），适合在紧凑型电子设备中使用，并支持通孔安装方式。其设计目标是提供优异的性能与可靠性，同时降低系统功耗，提高整体能效。由于其出色的电气特性和封装优势，2SK2973常被用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备中的功率切换应用。
　　该MOSFET的工作电压范围较宽，漏源击穿电压（BVDSS）高达600V，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于离线式电源设计。此外，它具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提升高频工作下的效率。2SK2973还具备良好的抗雪崩能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性，使其在实际应用中更加安全可靠。

参数

型号：2SK2973
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：7A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.85Ω（最大1.2Ω）@ VGS=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：100pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SIP-7
　　功率耗散（PD）：50W（带散热器）

特性

2SK2973的核心特性之一是其高耐压能力，漏源击穿电压可达600V，这使得它非常适合用于AC-DC开关电源等高压应用场景。在这些系统中，MOSFET通常作为主开关元件，在PWM控制下进行快速导通与关断，实现高效的能量转换。得益于其高BVDSS，2SK2973能够在市电整流后的高压直流母线上稳定运行，即使在电网波动或负载突变的情况下也能保持良好性能。这种高耐压设计不仅提升了系统的安全性，也减少了外部保护电路的复杂度。
　　另一个显著特点是低导通电阻RDS(on)，典型值仅为0.85Ω，最大不超过1.2Ω。这一参数直接影响到导通损耗，即I2R损耗。在大电流工作的条件下，低RDS(on)意味着更小的发热和更高的转换效率，从而可以减少对散热系统的依赖，缩小整机体积。对于追求高能效和小型化的现代电源产品而言，这是一个至关重要的优势。
　　2SK2973还具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动IC的负担和整体功耗。同时，较小的Ciss也有助于提升开关速度，缩短开通和关断时间，进一步减少开关损耗。这对于工作频率在几十kHz甚至上百kHz的开关电源尤为重要。
　　该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性。其最大结温达到+150°C，配合适当的散热措施可长时间稳定运行。此外，SIP-7封装提供了良好的机械强度和电气连接可靠性，适合自动化生产和维修更换。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性（trr=35ns），有助于抑制电压尖峰，提高系统EMI表现。

应用

2SK2973主要应用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）中，例如液晶电视、台式电脑电源、LED驱动电源、适配器和充电器等。在这些设备中，它通常被用作主开关管，负责将高压直流电通过高频斩波转换为脉冲信号，再经变压器降压和整流滤波后输出稳定的低压直流电。由于其600V的耐压能力和7A的持续漏极电流规格，2SK2973特别适合用于输出功率在100W至300W之间的电源设计。
　　在DC-DC转换器中，2SK2973可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激（Flyback）拓扑结构，尤其在隔离型反激变换器中表现出色。其快速的开关响应能力和低导通损耗有助于提高转换效率，满足能源之星（Energy Star）等能效标准的要求。此外，在电机控制领域，该MOSFET也可用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确的速度和转矩调节。
　　工业控制系统中，2SK2973可用于继电器驱动、电磁阀控制和电源模块中的功率切换功能。其高抗干扰能力和宽工作温度范围使其能在恶劣的工业环境中可靠运行。另外，在通信设备的辅助电源模块中，2SK2973也被广泛应用，以确保关键电路获得稳定可靠的供电。总之，凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，2SK2973已成为许多中高端电源产品的首选功率开关器件之一。