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LV321G-AF5-R 发布时间 时间:2025/12/23 19:04:23 查看 阅读:13

LV321G-AF5-R是一款由知名制造商生产的高效能、低功耗的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备出色的导通电阻和开关性能,能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
  该型号为N沟道增强型MOSFET,支持高频率操作,同时封装形式紧凑,适合对空间要求较高的设计场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1800pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,适应高频应用需求。
  3. 内置反向二极管,可有效保护电路免受瞬态电压影响。
  4. 强大的散热性能,确保在高负载条件下的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 紧凑型封装设计,节省PCB布局空间。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管。
  3. 负载开关和电机驱动控制。
  4. 电池管理系统中的保护开关。
  5. 各类工业自动化设备及消费类电子产品的电源管理模块。

替代型号

LV321G-AF3-R
  FDMC8627
  IRL3103PBF

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