MIC4680BMT是一款由Microchip Technology生产的双通道、高边MOSFET驱动器集成电路。该芯片设计用于驱动两个N沟道MOSFET,适用于同步整流、电源管理、负载开关和电机控制等多种应用。MIC4680BMT采用10引脚TDFN封装,具有较小的封装体积,适合高密度PCB设计。
类型:高边MOSFET驱动器
通道数:2
电源电压范围:4.5V至28V
工作温度范围:-40°C至+125°C
封装类型:10-TDFN
驱动能力:典型峰值电流1.2A
传播延迟:典型值80ns
输出电压范围:与电源电压一致
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
MIC4680BMT具备双通道高边MOSFET驱动能力,每个通道均可独立控制,适用于各种高边开关应用。其工作电压范围为4.5V至28V,使其能够兼容多种电源系统,包括12V、24V直流电源系统。
芯片内部集成自举二极管,简化了外部电路设计,并减少了元件数量。同时,其高驱动电流能力(典型值1.2A)确保了MOSFET能够快速导通和关断,降低开关损耗并提高系统效率。
MIC4680BMT具有较短的传播延迟(典型值为80ns),适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和电机控制电路。此外,芯片还具有欠压锁定(UVLO)功能,在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止MOSFET误操作。
该器件采用10-TDFN封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合在紧凑型电源系统中使用。其TTL/CMOS兼容输入使得它可以与多种控制器(如MCU、PWM控制器)直接连接,无需额外的电平转换电路。
此外,MIC4680BMT具有较强的抗干扰能力,适用于工业环境中的电源管理与控制应用。
MIC4680BMT广泛应用于需要高边MOSFET驱动的场合,例如同步整流器、DC-DC降压转换器、负载开关、电机驱动器、工业自动化系统以及电池管理系统(BMS)。此外,它还可用于驱动高边负载如LED背光、继电器和电磁阀等。由于其紧凑的封装和高效率特性,该芯片特别适合用于空间受限、要求高可靠性的嵌入式电源系统。
Si8412BD-S1, IRS2004PBF, TC4420CPA