类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：6.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：42W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

MHW6142 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其 RDS(on) 在 VGS=10V 的条件下仅为 38mΩ，这使得它在中高功率应用中表现出色。
　　此外，该器件具有较高的开关速度，适用于高频开关电路，有助于减小外部电感和电容的尺寸，提高整体系统的功率密度。MHW6142 的栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的负担，提高了控制响应速度。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，采用 TO-220AB 封装，具备较强的散热能力，适合在较恶劣的工作环境下运行。同时，其封装形式也便于安装在标准的散热片上，进一步提高其热管理性能。
　　另外，MHW6142 在设计上优化了短路耐受能力和雪崩能量等级，提高了器件在异常工作条件下的可靠性，从而增强了系统的整体稳定性。

MHW6142 主要应用于需要高效能功率开关的场合，例如：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各类工业自动化控制系统。
　　在 DC-DC 转换器中，MHW6142 可作为主开关器件，提供高效率的能量转换，尤其适用于 Boost 和 Buck 拓扑结构。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频工作条件下仍能保持较低的损耗。
　　在马达控制方面，该器件可以用于 H 桥电路中的高端或低端开关，实现对直流马达的速度和方向控制。由于其良好的热性能和高电流承载能力，MHW6142 也能胜任中等功率的负载开关应用，例如 LED 照明驱动、继电器替代等。
　　此外，MHW6142 还适用于便携式电子产品中的电源管理模块，如移动电源、智能穿戴设备、无人机等，提供高效、紧凑的功率控制解决方案。

Si4410BDY, FDS6680, IRFZ44N