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H5MS1G32BFR-J3 发布时间 时间:2025/9/1 12:13:00 查看 阅读:7

H5MS1G32BFR-J3是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM芯片,属于移动DRAM类别,专为低功耗和高性能应用设计。该芯片采用FBGA封装,适用于移动设备如智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。它具有较高的数据传输速率和较低的功耗,非常适合用于需要高带宽和节能的系统。

参数

容量:1Gb(128MB)
  组织结构:16位数据总线(x16)
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  工作电压:1.8V/2.5V可调
  工作温度范围:商业级(0°C至85°C)
  时钟频率:高达166MHz
  数据速率:333Mbps
  内存类型:DRAM
  刷新周期:64ms
  接口标准:Mobile DDR SDRAM

特性

H5MS1G32BFR-J3的主要特性包括低功耗设计,适合电池供电设备;高性能的333Mbps数据速率,可满足高速数据处理需求;支持多种刷新模式以延长电池寿命;具备自动温度补偿功能,可在不同温度条件下稳定工作;此外,其紧凑的FBGA封装有助于节省PCB空间。该芯片还支持自刷新和部分阵列刷新功能,有助于在待机模式下节省电力。

应用

H5MS1G32BFR-J3广泛应用于移动设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,也可用于工业控制系统、便携式医疗设备、车载导航系统以及其他对功耗敏感且需要高性能存储的场景。由于其低功耗和高带宽特性,非常适合用于嵌入式系统的主存。

替代型号

H5MS1G32BFR-J3C / H5MS1G32BFR-R6 / H5MS1G32EFR-J3

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