时间：2025/9/1 12:13:00
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H5MS1G32BFR-J3是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能应用设计。该芯片采用FBGA封装，适用于移动设备如智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。它具有较高的数据传输速率和较低的功耗，非常适合用于需要高带宽和节能的系统。
容量：1Gb（128MB）
组织结构：16位数据总线（x16）
封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
工作电压：1.8V/2.5V可调
工作温度范围：商业级（0°C至85°C）
时钟频率：高达166MHz
数据速率：333Mbps
内存类型：DRAM
刷新周期：64ms
接口标准：Mobile DDR SDRAM
H5MS1G32BFR-J3的主要特性包括低功耗设计，适合电池供电设备；高性能的333Mbps数据速率，可满足高速数据处理需求；支持多种刷新模式以延长电池寿命；具备自动温度补偿功能，可在不同温度条件下稳定工作；此外，其紧凑的FBGA封装有助于节省PCB空间。该芯片还支持自刷新和部分阵列刷新功能，有助于在待机模式下节省电力。
H5MS1G32BFR-J3广泛应用于移动设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，也可用于工业控制系统、便携式医疗设备、车载导航系统以及其他对功耗敏感且需要高性能存储的场景。由于其低功耗和高带宽特性，非常适合用于嵌入式系统的主存。
H5MS1G32BFR-J3C / H5MS1G32BFR-R6 / H5MS1G32EFR-J3
