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PESD3V3L4UF 发布时间 时间:2025/7/2 11:56:24 查看 阅读:6

PESD3V3L4UF 是一款由 NXP(恩智浦)生产的双向 TVS(瞬态电压抑制器)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁。该器件具有低电容特性,非常适合高速信号线和数据接口的保护。它能够提供快速响应时间,并有效钳制过压以保护敏感电路。

参数

工作电压:3.3V
  峰值脉冲电流:±12A
  箝位电压:±17V
  结电容:0.6pF
  响应时间:≤1ns
  封装形式:UFLP-2, 0.6x0.3mm
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PESD3V3L4UF 具有非常低的电容值(仅为0.6pF),这使得其特别适合用于高速数据线或射频线路中,不会对信号完整性产生显著影响。
  该器件还具备极快的响应时间(≤1ns),可迅速钳制瞬态过压,从而最大限度地减少对被保护电路的损害。
  此外,它的微型封装(UFLP-2,尺寸为 0.6x0.3mm)使其成为空间受限设计的理想选择。该器件支持 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。

应用

PESD3V3L4UF 广泛应用于各种需要 ESD 保护的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 高速数据接口保护,例如 USB、HDMI 和 DisplayPort。
  2. 汽车电子系统中的信号线保护,如 CAN 总线、LIN 总线等。
  3. 移动设备中的射频线路保护,例如手机、平板电脑和物联网设备。
  4. 工业控制和通信设备中的敏感信号路径保护。
  5. 网络设备中的 I/O 端口防护。

替代型号

PESD3V3L4UFN,PESD3V3L4UD

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